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供应高温实验炉

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    CVD(G)系列真空高温管式炉专门设计用于高温CVD工艺,如ZnO纳米结构的可控生长、氮化硅渡膜、陶瓷基片导电率测试、陶瓷电容器(MLCC)气氛烧结等等。 窑炉采用氧化铝纤维制品隔热、保温,国产优质硅钼棒加热,优质刚玉管炉膛, 系统可预抽真空,气体采用浮子流量计控制。进口单回路智能温度控制仪控制,设备具有温度均匀、控制稳定、升温速度快、节能、使用温度高、寿命长等特点,是理想的科研设备。                     

技术指标:

设  备 型 号 NT-CVD(G)-08/50/1



温区*高温度   1650℃;(*长恒温时间:≥10小时);常用温度:1600℃ (*长恒温时间:≥100小时)  



加热有效容积 Φ72(内经)×500mm;恒温区尺寸:Φ72(内经)×250mm  

炉管实际尺寸   Φ80(外径)×1400mm (国产优质刚玉管)

炉 膛 材  料   氧化铝纤维制品



控制温区点数 1个,1支B分度热偶

设备温场温差 ±1℃ ,日本岛电进口40段程序控制仪表(1只)

加 热  元 件     优质硅钼棒



*大加热功率     12Kw

保 温 功  率    5kw

*大升温速率   3℃∽10℃/min;

  *大降温速率 3℃∽7℃/min



        

温度均匀性 ±3℃(有效范围:Φ72×250mm)



气路配件材料   气路配件材料,端头不锈钢发兰密封,

一路气体采用浮子流量计控制, 

所有管道和阀门采用不锈钢元件

极 限 真  空   ≤10Pa(常温) ,一级机械泵(配电磁阀)。



压升率 ≤5Pa/h

                        

   

1000时可抽真空,能通保护氮气

外型参考尺寸    1250(L)×1650(H)×650(D)mm

输入动力电源    单相电源,50HZ ,220V±10%;10KW

炉体表面温升   ≤45℃

 
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